USN 1206 Kombi-Sicherung zum Schutz vor Überstrom und Übertemperatur
SCHURTER bietet eine breite Auswahl an qualitativ hochstehenden Chip-Sicherungen. Sechs unterschiedliche Typen in Chip-Baugrössen von 0402 bis 1206 gewähren im Fehlerfall einen kompakten und effektiven Schutz.
SCHURTER bietet eine breite Auswahl an qualitativ hochstehenden Chip-Sicherungen. Diese wurden speziell für den präzisen und verlustarmen Überstromschutz in Sekundärschaltkreisen entwickelt. Sechs unterschiedliche Typen in Chip-Baugrössen von 0402 bis 1206 gewähren im Fehlerfall einen kompakten und effektiven Schutz.
Die Chip-Sicherungen von SCHURTER sind in einer Vielzahl von Nennstrom-Ausführungen von 50 mA bis 25 A bei Nennspannung von bis zu 125 VAC/VDC erhältlich. Je nach Ausführung und Nennspannung wird ein Ausschaltvermögen von bis zu 600 A erreicht. Diese Variantenvielfalt ermöglicht eine Unmenge an Anwendungen. Besonders geeignet sind die Chip-Sicherungen für mobile, batteriebetriebene Geräte in der Sensortechnik und Industrieelektronik.
Chip-Sicherungen von SCHURTER heben sich von vergleichbaren Produkten durch äusserst präzise Auslösezeiten und niedrigste Verlustleistungen ab. Ihre solide Konstruktion macht sie zudem besonders beständig bei Vibrationen und Pulsbelastungen. Desweiteren haben die teilweise vergoldeten SMD-Kontakte einen positiven Einfluss auf die Benetzbarkeit, Lagerzeit und Kontaktqualität der Chip-Sicherungen.
Alle Chip-Sicherungen von SCHURTER besitzen eine cURus-Zulassung, die USI 1206 verfügt zusätzlich - und als einzige Chip-Sicherung auf dem Markt - auch über eine VDE-Zulassung. Da sie halogenfrei und RoHS-konform sind, können die Chip-Sicherungen von SCHURTER zudem für bleifreie Lötprozesse verwendet werden. SCHURTER bietet alle Chip-Sicherungen in kleinen, mittleren und grossen Verpackungseinheiten an und besticht - speziell im Massengeschäft - mit sehr attraktiven Preisen.
Bei einem Leistungshalbleiter, etwa einem MOSFET, erhöht sich im durchgeschalteten Zustand mit zunehmender Temperatur der Drain-Source-Durchlasswiderstand, was eine zunehmende Verlustleistung in der Sperrschicht bewirkt. Bei unzureichender Kühlung aufgrund der hohen Leistungsdichte kann die in Form von Wärme abgegebene Verlustleistung nicht mehr ausreichend abgeführt werden, wodurch sich der Durchlasswiderstand zusätzlich erhöht. Mehr Energie wird ab- als zugeführt. Dieser Prozess schaukelt sich mehr und mehr auf und führt im ungeschützten Zustand schliesslich zur Zerstörung des Bauteils.
Patentierte SMD Thermosicherung als Schutz gegen thermisches Durchgehen von Leistungshalbleitern wie: MOSFET's, IC's, IGBT's, Triac's, SCR's, usw.
Viele Nennstrom-Ausführungen von 50 mA bis 25 A
Hohe Nennspannungen von bis zu 125 VAC/VDC
Hohes Ausschaltvermögen von bis zu 600 A (interne Tests)
Super-Flinke (FF), Flinke (F) und Träge (T) Ausführungen
Präzise, verlustarm, vibrations- und pulsresistent